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      MOS管的重要参数有哪些

      2020-06-29

      MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。那么MOS管的重要参数有哪些呢?下面我们就来简单介绍一下。

       

      MOS管的重要参数有以下四个,主要是在MOS管选择方面,系统要求相关的四个重要参数是:

      1.负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力;

      2.输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制;

      3.开关频率。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率;

      4.MOSFET--允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。

       

      MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。


      MOSFET的开关性能优良,主要用作功率开关及各种驱动器。近年来,它的性能不断提高,应用范围越来越广。功率MOSFET除了应用在开关电源中,在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。

       

      鲁晶半导体目前产品范围包括有:MOS管快恢复二极管肖特基二极管三极管稳压电路整流桥碳化硅系列等,涵盖智能家电、电源、适配器、电动工具、LED照明、通讯产品和设备等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,24小时热线电话:400-001-4007,期待与您的合作!


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