<rp id="v1dht"><b id="v1dht"></b></rp>

<th id="v1dht"></th>
<track id="v1dht"></track>
<video id="v1dht"></video>

<strike id="v1dht"><strike id="v1dht"></strike></strike>
<em id="v1dht"><delect id="v1dht"><mark id="v1dht"></mark></delect></em>

    <span id="v1dht"></span>

      <track id="v1dht"></track>

      高频二极管

      2020-10-15

      ■引脚二极管举例

      结构符号用途?特征
      图 - 高频二极管结构图 - 高频二极管符号
      • 高频信号开关→手机等

      • 衰减器和AGC  电路用可变电阻元件
        AGC: Automatic Gain Control(自动增益控制)

      • 二极管中引脚间电容 (CT) 最小

      由电阻值高的I型半导体制成,其特点是引脚间电容(CT)非常小。正向电压条件下,具有可变电阻特性,反向电压条件下,具有电容器特性。利用其高频特性(引脚间电容小,因此对通信线没有影响),作为高频信号开关(带天线的移动设备),衰减器,AGC电路用可变电阻元件使用。

      正向电压反向电压
      图 - 正向电压:电荷存储→电阻率下降图 - 反向电压:接合P层和N层,则空穴与电子结合,在界面形成电气特性为中性的耗尽层。
      正向电压条件下为可变电阻
      可变电阻
      反向电压条件下为电容器
      电容器

      引脚间电容 (CT) ?

      二极管引脚间施加反向电压时,存储的电荷量称为引脚间电容(CT)。接合P层和N层,则空穴与电子结合,在界面形成电气特性为中性的耗尽层。 耗尽层起到寄生电容器的作用,其电容值(CT) 与PN结的面积成正比,与距离 (d) 成反比。距离由P层、N层浓度等因素设计而成。向二极管施加电压,则耗尽层扩大,CT下降。 根据使用的应用不同,其要求的CT值不同。

      引脚间电容 (CT) ?尽层。
      • 特点

        • 耗尽层越宽(d大)CT越低。

      在线客服
      中文国产成人精品久久

      <rp id="v1dht"><b id="v1dht"></b></rp>

      <th id="v1dht"></th>
      <track id="v1dht"></track>
      <video id="v1dht"></video>

      <strike id="v1dht"><strike id="v1dht"></strike></strike>
      <em id="v1dht"><delect id="v1dht"><mark id="v1dht"></mark></delect></em>

        <span id="v1dht"></span>

          <track id="v1dht"></track>